2008年专利：
[1] “一种制备镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电纳米线的方法”，专利号：ZL200710034855.6，发明人：钟向丽，廖敏，王金斌，周益春。
[2] 一种测量纳米材料光致硬化性能的方法”，专利申请号：200810030576.7，公开号：CN101231275，发明人：郑学军，王甲世，陈义强，杨博，龚伦军。
[3] “基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法”，专利申请号：200810030575.2，公开号：CN101224868，发明人：郑学军，陈义强，王甲世，姜传斌，龚伦军。
[4] “一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法”，专利申请号：200810030573.3，公开号：CN101266236，发明人：郑学军，陈义强，王甲世，龚伦军，余功成。
[5] “一种基于Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法”，专利申请号：200810031886，发明人：郑学军等。
[6] “一种含纳米线的镍复合薄膜及其制备方法”，专利申请号：200810031177.2，公开号：CN101090024，发明人：周益春，周兆锋，潘勇。
[7] “热障涂层损伤及其失效过程的声发射实时检测方法”，专利申请号：200810031180.4，公开号：CN101285796，发明人：周益春，杨丽。
[8] “一种制备铁电铁磁复合纳米纤维的方法”，专利申请号：200810031317.6，公开号：CN101274844，发明人：谢淑红，李江宇，刘运牙，周益春。
[9] “氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法”，专利申请号：200810031141.4，公开号：CN101262040，发明人：王金斌，何春，钟向丽，周益春，郑学军。
[10] “一种用于研究平板结构热障涂层界面屈曲破坏的热障涂层试样的制备工艺”，专利申请号：200810143457.2，发明人：毛卫国，周益春。
[11] “一种在高温环境下研究内埋界面缺陷的热障涂层界面屈曲破坏的实验控制方法”，专利申请号：200810143458.7，发明人：毛卫国，周益春。
[12] “一种防覆冰输电电缆及其生产方法”，专利申请号：200810143907.8，发明人：李文等。